원료로 사용되는 실리콘이 높은 순도를 가지고 있어야 하며, 이는 후속 공정에서 웨이퍼의 결함을
최소화하고 전자의 자유 이동을 촉진하여 전지의 효율을 향상시킵니다.

웨이퍼의 초기 부분에 배치되어 결정체의 초기 형성을 시작하며, 웨이퍼의 결정 구조를 결정하고
씨드의 품질이 이 초기 단계에서 얼마나 우수한지가 최종 웨이퍼의 품질에 큰 영향을 미칩니다.

결정은 용융 실리콘에서 성장하게 되며, 이후에 웨이퍼의 전체 표면을 덮게 됩니다.
이 단계에서 씨드의 결함이나 불순물이 전파되지 않도록 제어하는 것이 중요합니다.

씨드의 방향과 결정 구조는 웨이퍼의 최종 특성을 결정합니다. 따라서 씨드의 배치와 초기 성장
단계에서 방향을 제어하는 것이 중요합니다.

성장하는 동안 주변 실리콘과의 상호 작용은 결정의 품질을 결정합니다. 이를 제어하여
결정의 확산이 균일하게 이루어지도록 하는 것이 중요합니다.

고온에서 안정성이 뛰어나며, 이는 태양광 잉곳 제조 프로세스에서 발생하는 고온 조건에서
사용하기에 이상적입니다.

화학적으로 안정한 소재로서, 용융된 실리콘과의 상호 작용이 최소화되어 실리콘의 결정성장에
부정적인 영향을 미치지 않습니다.

고열 및 화학적인 환경에서의 내구성이 요구되는 제조 과정에서 석영은 높은 내구성을 제공합니다.

높은 열전도성을 가지고 있어, 안정된 온도 분포를 유지하고 결정의 균일한 성장을 도모합니다.

투명성이 뛰어나 태양광 잉곳 제조 프로세스에서 발생하는 광원에 의해 잘 투과되어 작업 내부를
시각적으로 확인할 수 있습니다.

특정 온도 조건이 필요하며, 히터는 핫 존 내부의 온도를 정밀하게 제어하여 원하는 환경을
유지하며, 이는 실리콘 결정의 성장에 영향을 미치는 중요한 요소 중 하나입니다.

실리콘 웨이퍼의 품질을 제어함으로써 최종 제품의 성능을 향상시킵니다. 정확한 온도 제어와
결정 성장 속도의 조절은 웨이퍼의 결함을 최소화하고 일정한 구조를 유지하는 데 도움이 됩니다.

안정적으로 고온을 유지하여 실리콘 결정의 성장을 지원하며, 안정성은 결정의 균일한 성장과
웨이퍼의 일관된 품질을 유지하는 데 중요합니다.

그로잉 프로세스에서 중요한 제어 요소 중 하나로 작용합니다. 적절한 온도와 성장 속도를
유지함으로써 원하는 실리콘 웨이퍼를 얻을 수 있습니다.

그로잉 프로세스에서 사용되는 히터는 다양한 크기와 형태로 제공되며, 특정 프로세스의 요구에
따라 적절한 히터를 선택하여 사용할 수 있습니다. 이는 프로세스의 효율성을 향상시키고 에너지
소비를 최소화하는 데 도움이 됩니다.

완전히 자동화된 제어로 크리스탈 성장을 더욱 안정적이고 지능적으로 만듭니다.

neck growth-crown growth-shoulder growth-body growth-tail growth.

독특한 SCEC 핫존으로 안정적인 온도 조절이 가능합니다.

사용자 친화적인 소프트웨어 제어 시스템은 포괄적인 기능을 갖추고 있으며 사용자 맞춤형
업그레이드를 지원합니다.

지능형 결정성장은 노동자의 개입을 줄여줍니다.